免退火室温制备
室温溅射制备的非晶V₂O₅基体通过纳米限域抑制Ag₂O团聚,赋予薄膜正极循环稳定性,同时保持超高容量。
Sheng, Cao · Yu, Yongkun · Hanxiao, Wang · Zhou, Cheng · Dong, Chenxu · Yan, Kaijian · Xu, Xu
Advanced Materials 2026
通过室温磁控共溅射直接获得非晶复合正极,无需超过500℃的退火,因而能够集成到不耐高温的基板上。
初始放电容量171.0 µAh cm⁻² µm⁻¹,约为传统LiCoO₂电极的2-3倍,显著提升薄膜电池的能量密度。
非晶V₂O₅基体的纳米限域效应抑制Ag₂O颗粒团聚,使电极在1000次循环后仍保持73%容量。
集成到全固态薄膜电池中可驱动LED传感器和运动传感器,400次循环后容量保持率71%,演示了实际应用可行性。