242ps极速晶化
一种能实现DRAM级甚至缓存级写入速度的相变存储材料，在极小尺寸下晶化速度突破至242皮秒，为高速存储提供新选择。
Shen, Jiabin · Song, Wenxiong · 任堃 · 宋志棠 · 周鹏 · 朱敏
Advanced Materials 2023
60 nm尺寸器件中晶化速度仅为242 ps，是迄今报道的最快相变存储材料，接近速度极限。
再晶化过程随器件尺寸缩小而加速，这与传统认知相反，意味着微缩制程将进一步缩短写入时间。
该速度使PCM可进入DRAM甚至缓存的领域，为存内计算等应用提供候选介质。