声子全谱散射
通过界面结构设计同时降低载流子散射和晶格热导率,实现n型GeSe性能突破。
Yin, Liangcao · Liu W.-D. · Li, Meng · Wang, Dezhuang · 吴昊 · Siqi, Liu · Shi, Xiaolei · 王一峰 · Zhang, Lixiong · Chen, Zhigang · 刘庆丰
Advanced Functional Materials 2025
高熵驱动晶粒长大并形成亚晶界,迁移率提升,功率因子高达4.5 µW cm⁻¹ K⁻²。
层错、Bi重掺杂区和致密点缺陷协同散射所有频率声子,晶格热导率降至0.37 W m⁻¹ K⁻¹。
全GeSe基π型模块在温差350 K下实现约4.6%的转换效率,为同体系器件首次突破。