V-Ti-Ta-Nb高熵合金

抗辐照更优

相比纯V和V-5Ti-5Ta合金，V-Ti-Ta-Nb高熵合金具有更低的缺陷团簇分数和更小的位错环尺寸，辐照后缺陷更难聚集长大。

Qiu, Rongyang · 陈阳春 · Liao, Xichuan · 豆艳坤 · 贺新福 · Yang, Wen · 胡望宇 · 邓辉球

Journal of Nuclear Materials 2024

技术优势

相比纯V和V-5Ti-5Ta合金，V-Ti-Ta-Nb高熵合金的缺陷团簇分数更低，辐照后点缺陷更倾向于分散而非聚集。

高熵合金中位错环的结合能更低，使得位错环尺寸难以增大，从而减少了对材料力学性能的损害。

位错环结合能更低意味着位错环的稳定性降低，辐照产生的位错环更容易分解或吸收点缺陷而湮灭。

高熵合金中缺陷再复合时间更长，更多的弗兰克尔对能够在级联碰撞后重新结合，减少了存活缺陷数量。