TiOx忆阻器

本征电导衰减

利用TiOx忆阻器的本征电导衰减特性,无需复杂电路即可实现强化学习中的关键衰减函数,降低运算能耗并加速收敛。

代月花 · Wenbin, Guo · Feng, Zhe · Xu, Zuyu · Zhu, Yunlai · 杨飞 · Wu, Zuheng

Advanced Intelligent Systems 2023

参数信息

忆阻器阵列规模
32 × 32

技术优势

免去指数运算电路

直接用TiOₓ忆阻器的本征电导衰减实现λ衰减函数,不需要专用浮点指数计算单元。

浮点运算能量大减

省掉传统实现中大量的浮点指数运算,因此系统所需浮点操作能量显著降低。

收敛更快

借助忆阻器阵列拓扑并行计算,Sarsa(λ) 的收敛速度得到加速。

路径规划已跑通

在路径规划任务上验证了本征电导衰减特性,性能与仿真结果接近。

应用场景