AND型FeFET存储阵列

Jiacheng, Xu; Jiayi, Zhao; Zhang, Hongrui; Qian, Haoji; Jiani, Gu; Bowen, Chen; Gaobo, Lin; Rongzong, Shen; Xinda, Song; Liu, Huan; Yian, Ding; Minglei, Ma; Miaomiao, Zhang; Yu, Xiao; Chen, Bing; Cheng, Ran; Xu, Gaobo; Yin, Huaxiang; Liu, Yan; Chen, Jiajia; Jin, Chengji; Han, Genquan

AND型FeFET存储阵列

无干扰读写

该阵列通过优化的单元结构和读电压，在1kbit规模下演示了稳健的读写操作，解决了铁电存储阵列中的干扰问题。

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Science China Information Sciences 2025

参数信息

阵列容量: 1 kbit

技术优势

读写无干扰

通过测量单个器件和AND型阵列验证了无干扰操作，避免了阵列中常见的串扰问题。

读电压可优化

在器件间变化和开关比之间进行折中确定最佳读电压，这对小尺寸器件尤为重要，因为铁电HfO2中晶粒数量有限导致变化更大。

阵列规模已验证

在1 kbit AND型FeFET阵列上实验演示了稳健的读写操作，证明该设计可扩展到实际存储容量。

应用场景

嵌入式非易失存储：可直接集成到MCU或SoC中，实现高密度、低功耗的嵌入式存储。
存算一体芯片：无干扰读写特性适合存内计算单元，避免权重更新时串扰。
功率半导体应用：铁电HfO2与CMOS工艺兼容，可用于功率器件的非易失配置或状态存储。