GaAsBi外延层

温度稳定发光

该GaAsBi外延层揭示了带尾态对发射温度敏感性的影响，为设计稳定的光电器件提供了指导。

陈熙仁 · Zhu, Liangqing · Wang, Lijuan · 王曼 · Wang, Shumin · 邵军

Advanced Science 2025

具体参数

PL能量-温度系数变化

≈40 %

技术优势

方法能解耦带尾态

双光谱方法分别从透射和光致发光中提取本征带边和带尾态的贡献，从而消除两者混合带来的误解。

解释矛盾来源

揭示了 PL 和透射系数差异的微观机制：高温下载流子在价带与带尾态之间热再分布。

指导器件设计

明确了带尾态对温度敏感性的影响，从而为设计温度稳定的 GaAsBi 光电器件提供直接依据。

应用场景

• 红外发光器件：用温度稳定的 GaAsBi 做发光层，避免波长随温度漂移。
• 光电探测器：用 GaAsBi 拓宽探测波长至红外，同时保持响应稳定。
• 稀铋半导体：用双光谱方法厘清带尾态对温度敏感性的作用，为材料优化提供方法。