SiC MOSFET阈值电压采样电路

高精度可复现

基于JEP183A标准的首个可复现硬件实现，为SiC MOSFET阈值电压提供精准测量工具。

汪天旸 · 李琪 · 王大方 · Bao, Liu · Jinhuan, Zhao

IEICE Electronics Express 2025

参数信息

重复性误差

4.7 %

绝对精度

±0.01 V

技术优势

精度够高

在3 V漏源偏置下，绝对精度达到±0.01 V，确保测量结果可靠。

重复性好

重复性误差低于4.7%，同一批次器件多次测量结果一致。

有标准可依

基于JEP183A标准实现，提供可复现的硬件实现，统一测量方法。

应用场景

• SiC MOSFET可靠性测试：用标准电路准确监测阈值电压漂移，评估器件老化。
• 功率半导体参数提取：为参数提取提供高精度、可复现的Vth测量数据。