SnS₂/α-In₂Se₃异质结光电探测器

响应度52.24 A/W

利用铁电极化场实现载流子迁移率的双向调控，显著提升光电探测性能。

Yehua, Yang · Jing-Jing, Zhao · 韩旭 · Ma, Fangyuan · 徐政 · 李东岳 · 曲胜春 · 刘孔 · 邢杰

ACS Applied Materials & Interfaces 2026

具体参数

光电响应度

52.24 A·W⁻¹

上升时间加速比1

14.53 ×

上升时间加速比2

2.06 ×

技术优势

响应度大幅提升

在35.6 μW·cm⁻²光功率密度下达到52.24 A·W⁻¹，源自异质结内建电场和In₂Se₃极化场促进的载流子分离。

响应速度更快

由于内建电场的存在，上升时间比纯SnS₂器件快14.53倍，比纯In₂Se₃器件快2.06倍。

迁移率可双向调控

通过偏压控制铁电态，在同一器件中实现载流子迁移率的双向调节，为多功能光电器件提供基础。

应用场景

• 高灵敏光电探测：以52.24 A·W⁻¹高响应度探测微弱光信号，适合高灵敏光电探测。
• 光电探测器：提供一种铁电极化增强的高性能光电探测器设计。
• 二维材料异质结：展示SnS₂/α-In₂Se₃异质结在调控载流子迁移率上的独特机制。
• 柔性光电器件：二维材料体系可集成到柔性基底，用于柔性光电器件。