高电流密度下低过电位
通过Mo诱导晶态/非晶异质界面，同时优化HER与OER，并在工业级电流密度下保持稳定。
Wang, Xiaojie · Shuhuan, Han · Liu, Yingjie · 曾晓飞
Small 2026
得益于晶态/非晶异质界面和丰富活性位点，在1000 mA cm⁻²下HER过电位仅117 mV，OER过电位仅275 mV。
以此催化剂组装电解槽，在1000 mA cm⁻²下仅需1.91 V，并能稳定运行2000小时。
Mo在合成中抑制合金纳米颗粒生长，平均粒径约7.5 nm，形成更多异质界面和活性位点。
Mo促进非晶组分形成，加速电催化过程中NiOOH活性物种的重构。