Te空位Fe₃GeTe₂电催化剂

过电位降至0.34 V

通过在Fe₃GeTe₂(001)表面引入Te空位,优化含氧中间体的吸脱附,使其析氧反应过电位显著低于IrO₂基准催化剂。

Wei, Su · Shan, Dan · 潘靖

Nanomaterials 2025

具体参数

过电位
0.34 V