高温低压C/SiC复合材料

剪切性能近室温

在1200 °C、5 kPa氧化气氛下形成的氧化硅层改善应变传递,使剪切性能优于同温度真空环境。

Kangjia, Liu · Yongsheng, Gu · Lu W. · Xiaolong, Li · 79392859 · 陈彦飞

Engineering Fracture Mechanics 2026

参数信息

improve under C
5 kPa

技术优势

低压氧化改善均匀应变传递

在1200 °C和5 kPa下形成的氧化硅层促进均匀应变传递,使剪切性能较同温真空略有提升。

纤维桥联耗能维持面内剪切

面内剪切加载时,连续纤维通过拔出和桥联耗散能量,降低了温度敏感性。

弱氧化保留界面结合力

低压弱氧化气氛能保留纤维-基体界面结合力,这是剪切性能恢复的核心原因。

应用场景