剪切性能近室温
在1200 °C、5 kPa氧化气氛下形成的氧化硅层改善应变传递,使剪切性能优于同温度真空环境。
Kangjia, Liu · Yongsheng, Gu · Lu W. · Xiaolong, Li · 79392859 · 陈彦飞
Engineering Fracture Mechanics 2026
在1200 °C和5 kPa下形成的氧化硅层促进均匀应变传递,使剪切性能较同温真空略有提升。
面内剪切加载时,连续纤维通过拔出和桥联耗散能量,降低了温度敏感性。
低压弱氧化气氛能保留纤维-基体界面结合力,这是剪切性能恢复的核心原因。