室温铁磁半导体
通过范德瓦尔斯表面重构实现二维金属氧化物的定向外延与大面积无缝单晶生长，突破了二维氧化物单晶合成的长期瓶颈。
Zhao, Mei · 张可男 · Shaowen, Xu · Lei Lu, Yuan · You, Jiawen · Minting, Lei · Wang, Zhien · Zhang, Tianyi · Musgrave, Charles B. · Wang, Jiangtao · 潘霜 · 邹超 · Luo, Zhengtang · 戴宁 · Goddard, William A. · 王舜 · Kong, Jing · 张礼杰
Nature Materials 2026
通过范德瓦尔斯表面重构，多种二维金属氧化物可无缝合并成单晶薄膜，面积达到厘米级，满足器件集成需求。
Fe掺杂CoO单晶薄膜在室温下呈现铁磁半导体特性，居里温度高达430 K，远超室温，可用于自旋电子学器件。
该策略适用于多种二维金属氧化物及其掺杂体系，为大规模合成提供了通用路线。