范德华铁磁 Cr₂Ge₂Te₆

阻尼创范德华最低

该材料在厚层下实现创纪录的低磁阻尼，并且能够通过自旋抽运向相邻金属高效注入自旋电流，可作为二维自旋电子器件中的相干自旋源。

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Nature Communications 2023

参数信息

磁阻尼常数

4-10 × 10⁻⁴

自旋混合电导

2.4 × 10¹⁹ m⁻²

技术优势

阻尼创最低

厚层 Cr₂Ge₂Te₆ 的磁阻尼常数为 4–10 × 10⁻⁴，是铁磁范德华材料中的最低值，有利于高效自旋流产生。

界面传自旋高效

界面自旋混合电导高达 2.4 × 10¹⁹ m⁻²，可直接提取，有利于跨范德华界面传递自旋角动量和自旋轨道矩。

能产生自旋流

实验证实 Cr₂Ge₂Te₆ 中的自旋抽运效应，向 Pt 或 W 注入自旋流，并通过逆自旋霍尔效应检测。

应用场景

• 二维自旋电子器件：作为低温二维自旋电子器件中的相干自旋或磁振子电流源。
• 自旋霍尔效应器件：通过逆自旋霍尔效应检测注入的自旋流，用于构建自旋霍尔器件。
• 范德华异质结：Cr₂Ge₂Te₆ 与 Pt 等金属形成范德华异质界面，高效传递自旋。