p型zT值高达2.0
一种宽带隙反铁磁半导体，其p型热电优值在900 K时达到2.0，显著优于同结构硒化物。
魏小平 · Du, Lan Lan · Shen, Jing · Zi-Qi, Sun · Zhang, Zimeng · 常文利 · Xiaoma, Tao
Materials Science in Semiconductor Processing 2024
p型BaGd₂S₄在900 K时zT达到2.0，具有高效热电转换能力。
p型BaGd₂Se₄在900 K下zT值大于0.8，拓展了同族材料的选择。
计算表明BaGd₂X₄ (X=S, Se)为宽带隙反铁磁半导体，电子结构稳定。