双通道推挽互锁谐振栅极驱动器

驱动损耗降近88%

针对LLC-DCX次级侧MOSFET的谐振驱动方案，在1.3 MHz高频下大幅降低栅极驱动损耗并缩减占板面积。

Zhou, Ziyan · Qiang, Luo · Yufan, Wang · Yuefei, Sun · Qian, Qingsong · Sun, Weifeng

IEEE Transactions on Industrial Electronics 2025

参数信息

驱动损耗降低

88 %

占板面积减少

49 %

开关频率

1.3 MHz

输出电压和电流

48V-6V/30A

技术优势

驱动损耗大降

通过谐振回收栅极电荷，在1.3 MHz下驱动损耗比常规电压源驱动降低近88%。

占板面积更小

相比常规驱动方案，占板面积减少49%，有助于提高功率密度。

高频可靠驱动

双通道互补信号驱动次级侧MOSFET，支持1.3 MHz下稳定工作。

应用场景

• LLC变换器设计：直接替换LLC-DCX次级侧驱动，降低高频下的驱动损耗。
• 高频电源管理：提供与频率解耦的栅极驱动，支持更高开关频率而不增加损耗。
• 功率MOSFET驱动：以谐振方式驱动次级侧MOSFET，减少栅极电荷浪费。
• 高功率密度电源：体积缩小49%，驱动损耗降低88%，有利于电源小型化。
• 无人机电源系统：高频驱动能力适配无人机电源对轻量化和高效率的要求。