陡坡垂直晶体管

亚60 mV/dec开关

集成栅控范德瓦尔斯异质结与金属丝阈值开关，实现超薄垂直沟道中的亚热电子开启。

Yang, Qiyu · 罗拯东 · Duan, Huali · 甘雪涛 · Zhang, Dawei · Yuewen, Li · Seidel, Jan · Chen, Wenchao · 刘艳 · 郝跃 · 韩根全

Nature Communications 2024

参数信息

平均亚阈值摆幅

60 mV/dec

垂直传输沟道厚度

5 nm

技术优势

突破热电子极限

集成金属丝阈值开关，引入栅控范德瓦尔斯异质结，实现室温下平均亚阈值摆幅低于60 mV/dec。

垂直沟道超薄

垂直传输沟道厚度小于5 nm，有助于缓解器件微缩带来的性能退化。

应用场景

• 低功耗逻辑晶体管：用亚60 mV/dec的陡坡开关降低逻辑电路的动态功耗。
• 纳米尺度器件制造：展示亚5 nm垂直沟道晶体管的集成工艺路径。
• 下一代半导体：用范德瓦尔斯异质结和阈值开关突破传统硅器件的微缩瓶颈。
• 高密度集成存储：利用超高开关比和陡坡摆幅实现高密度存储单元。