双边损耗<15 µm
通过时间脉冲串调制抑制自聚焦效应，实现碳化硅晶圆的低损耗、低粗糙度、易于分离的激光切片，切片表面粗糙度低且可快速剥离。
吕静 · Jiayi, Yue · Jialu, Gao · Jiaqi, Qiu · Zhenqiang, Zhang · 汤奥斐 · 程光华 · Zhongyin, Zhang · 王雪文 · Wang, Rujia · 李淑娟
Optics and Laser Technology 2026
采用8个及以上子脉冲时，双边材料损耗可控制在15 µm以下，减少晶圆浪费。
切片表面粗糙度Sa低至169 nm，剩余晶圆表面Sa约120 nm，有利于后续加工。
可在1分钟内通过超声清洗或即时剥离实现晶圆分离，缩短加工时间。
切片表面整体光学透过率约75%，表明光吸收和散射损失较低。