InAs/GaAs短周期超晶格

高阻高迁移率

用迁移增强外延生长的超晶格替代常规LT-InGaAs，解决了传统生长模式中As沉淀和合金散射导致的低电阻率低迁移率问题。

Li, Xuefei · 刘贵鹏 · Lu, Guangjun · 章欣 · 宋树祥 · 张新惠 · 刘林生

Nanomaterials 2024

参数信息

电子迁移率

843 cm2/(V·s)

电阻率

1648 Ω/sq

带边光生载流子寿命

1.2 ps

技术优势

电阻够高

室温电阻率达1648 Ω/sq，降低暗电流，有利于提高太赫兹辐射功率。

界面够陡

迁移增强外延避免了常规生长模式下的As沉淀和合金散射，形成陡峭界面。

寿命够短

带边光生载流子寿命约1.2 ps，适合高速太赫兹光电导开关。

应用场景

• 太赫兹源：用作光电导天线的有源层，提升太赫兹辐射功率和集成度。
• 太赫兹探测：高阻高迁移率特性可用于制备高灵敏度太赫兹探测器。
• 柔性太赫兹器件：材料可转移，支撑柔性太赫兹器件的实现。
• 太赫兹通信：短载流子寿命支持高速太赫兹通信调制。