高取向P(NDI2OD-T2)薄膜

迁移率5倍提升

通过溶剂蒸气退火与强磁场协同处理，获得高度取向的半导体聚合物薄膜，大幅提升电子迁移率并实现各向异性输运。

Zhou, Han · Yuming, Fei · Zhiqiang, Ai · Hui, Di · Zhu, Liangzheng · 潘国兴 · 张发培

Journal of Materials Chemistry C 2023

具体参数

电子迁移率提升

5 倍

技术优势

二向色比高达19.7

迁移率各向异性高达59

顶栅底接触器件结构