石墨烯/InSe肖特基光电二极管

1.4V击穿高增益

该器件采用不对称二维肖特基结，实现低击穿电压下的双侧盖革模式雪崩，在室温下可探测约35个光子的弱光信号。

Zhao, Dongyang · 陈焱 · Hu, Tao · Cao, Hechun · 於家 · 王旭东 · 沈宏 · 杨敬 · 张缘缘 · 唐晓东 · 白伟 · 王建禄 · 褚君浩

Nature Communications 2025

具体参数

击穿电压

{'zh': '1.4', 'en': ''} V

临界电场

{'zh': '11.5', 'en': ''} kV cm⁻¹

技术优势

增益6.3×10⁷

室温下可探测约35个光子