Cu₄TiSe₄热电材料

晶格热导率0.11

硒代化合物通过弱化学键和大原子质量实现极低晶格热导率，同时保持良好电输运，ZT值远超同类硫化物。

张婷婷 · 田玉 · Ning, Suiting · Zhang, Ziye · 祁宁 · Jiang, Man · 陈志权

ACS Applied Materials & Interfaces 2023

具体参数

室温晶格热导率

{'zh': '0.11', 'en': ''} W m⁻¹

技术优势

p型ZT在300 K达2.55，800 K达5.04

n型ZT在300 K达2.88，800 K达5.68