Q值破十万
非刻蚀工艺在铌酸锂薄膜上实现同类最高品质因子，超此前报道一个量级，为高性能光子器件提供核心谐振腔。
Zhi, Jiang · Fang, Cizhe · Xu, Ran · Yu, Gao · Ruiqing, Wang · Jianguo, Wang · Danyang, Yao · 甘雪涛 · Liu, Yan · 74227950 · 韩根全
Opto-Electronic Advances 2025
通过非刻蚀方法，避免直接刻蚀铌酸锂引起的表面粗糙和缺陷，从而获得高Q值。
在保持高透射率的同时，品质因子超过10^5，比之前非刻蚀铌酸锂纳米束腔的报道高一个量级以上。
利用TE偏振模式的低波导损耗和高制造容差，在实现高Q的同时保持高透射率，有利于实际应用。