NdOCl单晶电介质

高介电常数

亚毫米级单晶NdOCl纳米片兼具高κ值和超低漏电流，为二维电子器件提供高质量栅介质，显著提升器件性能。

Huang, Jing · Liu P. · 康俊 · 蒋成保 · 杨圣雪

Advanced Materials 2025

具体参数

单晶尺寸

169 µm

带隙

4.57 eV

载流子迁移率

123 cm² V⁻¹

Short-channel MoS FETs

100 nm

技术优势

介电常数κ≈11.7

漏电流≈10⁻⁷ A cm⁻²