消除界面空洞
引入非晶氧化铝作为粘附层，解决TiN与硅掺杂HfO2铁电层间的空洞缺陷，提升3D铁电存储器性能。
Zhao, Dongxue · Zhiliang, Xia · Yi, Yang · Meiying, Liu · Yuancheng, Yang · 霍宗亮
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing 2024
引入非晶氧化铝界面层可提高TiN与Si:HfO2之间的结合能，从根源上避免空洞形成。
界面空洞是漏电的主要来源，消除空洞后器件漏电水平得以降低。
实验验证显示，采用非晶氧化铝粘附层后，3D结构中的铁电性能得到提升。