去除率增四倍
有别于常规化学机械抛光，该单元借助化学诱导的微纳气泡在抛光过程中产生的空化作用，实现硅片材料的超精密去除。
Xu, Lei · Park, Kihong · 雷红 · Liu, Pengzhan · Kim, Eungchul · Cho, Yeongkwang · Kim, Taesung · Chen, Chuandong
Friction 2023
化学诱导产生的微纳气泡在抛光中引发空化，额外材料去除机制使MRR提高约400%。
相同工艺下表面粗糙度降至0.17 nm，满足超精密加工需求。
建立的模型整合反应物浓度、晶圆硬度、垫粗糙度、应变率及气泡参数，与实验一致，可用于工艺设计和优化。
采用简单的化学反应方法即能形成数量可控的微纳气泡，易于集成到现有设备。