剩余场降至2.5 nT
通过内外线圈协同补偿，在少层坡莫合金的磁屏蔽室内实现极低剩余磁场，提升内部空间利用率。
Li, Yanbin · Jiye, Zhao · Xikai, Liu · 文通 · 郑世强 · 崔培玲
IEEE Transactions on Industrial Electronics 2023
利用内外线圈协同补偿，使剩余场比无补偿时低7倍，无需增加坡莫合金层。
薄层屏蔽配合补偿线圈，在相同占地尺寸下内部可用空间比传统多层屏蔽室提高2倍。
仅用两层坡莫合金就实现了极低剩余场，降低了材料成本和制造难度。