效率超15%
用同系烷基磺酸钠一步实现SnO2/perovskite埋底界面的缺陷钝化与物理调控,器件效率突破15%且1000小时稳定性保持82.65%。
Jie, Tang · Yifei, Shi · Shuming, Hu · Xu, Wang · 黄金成 · Pengcheng, Gao · Jianwen, Gong · Linpeng, Tan · Wenqi, Wu · 姜飞 · 陈建林 · 彭卓寅
Materials Research Bulletin 2027
同一个烷基磺酸钠分子同时钝化SnO₂表面的欠配位Sn⁴⁺和氧空位,并优化界面能级排列,无需额外的界面层或后处理步骤。
基于C3修饰的器件获得15.10%的功率转换效率,开路电压高达1.280 V,表明界面修饰有效抑制了非辐射复合。
修饰后的器件在25°C氮气下1000小时后仍能保持初始效率的82.65%,说明该界面层改善了器件的环境稳定性。