双NMOS GaN栅极驱动器

2MHz转换效率91.8%

主动自举与无限CMTI电平移位实现高频高功率密度驱动

熊宇豪 · Liu, Xihao · Wenxing, Cao · 郭卓奇 · 薛仲明 · 耿莉

IEEE Transactions on Power Electronics 2025

参数信息

峰值转换效率
91.8 %
效率提升
4.6 %

技术优势

面积更小

采用双向NMOS自举开关对替代传统PMOS方案,无需额外的电平移位电路,从而减少芯片占用面积。

抗共模干扰

电容电平移位器通过基于电流镜的边沿检测与噪声隔离,将差模逻辑信号与共模噪声分离,理论上实现无限CMTI。

开关损耗更低

自适应米勒平台检测配合可配置栅极充电电流,连续调节dV/dt,相比固定栅极电阻驱动可降低开关损耗与电压尖峰。

应用场景