万次循环衰减仅 1.7%
通过 B 位高熵设计定制 eg 占据与 TM-O 键性质,兼顾 ORR 高活性和超强耐久性。
李文英 · Zhao, Zhenxin · Zhao, Jinyu · 王永祯 · 王晓敏
Journal of Materials Science and Technology 2024
得益于优化的 eg 占据数(1.06)和 TM-O 共价性提升,ORR 过电位从 LaMnO₃ 的 503 mV 降至 493 mV。
10 000 圈循环后半波电位仅衰减 1.7%,远低于 LaMnO₃ 的 4.4%,归因于更高的晶格能(691.75 kJ mol⁻¹)。