AlGaN/GaN HEMT器件

抗单粒子辐照

针对空间应用的AlGaN/GaN HEMT器件，其单粒子效应在不同偏置下表现差异显著，为抗辐照加固设计提供依据。

吕玲 · Changjuan, Guo · Mu-Han, Xing · 郑雪峰 · 曹艳荣 · Hu, Peipei · 刘杰 · 马晓华 · 74227950

IEEE Transactions on Electron Devices 2025

技术优势

重离子辐照在OFF-state下对器件损伤最严重

漏源电压增加时观察到非破坏、漏电退化、灾难性失效三个区域

OFF-state下峰值电场最大

高电压偏置下电流收集更显著