通过光电化学氧化在GaN表面形成氧化膜，改变材料去除机制，提升抛光效率。
Yuewen, Sun · 吴跃勤 · 高尚 · Yang, Zhao · 77039516 · 董志刚
International Journal of Mechanical Sciences 2025
增大磨粒半径和抛光压力显著提高von Mises应力和静水应力，使材料去除从应力主导向应力与相变协同转变。
提高抛光速度虽然对应力影响有限，但显著增加磨粒通过次数和抛光温度，从而提升材料去除率。
过大的磨粒半径和压力导致形成厚度数十纳米的亚表面损伤层，为参数优化提供依据以避免损伤。