范德华IV族单硫硒化物

线性二色比~100

在块体厚度下实现偏振锁定光学吸收边，为各向异性光电器件提供天然的偏振选择层。

Yilun, Yu · Rui, Ge · Jin-Rong, L. · Sui, Fengrui · Beituo, Liu · 齐瑞娟 · 越方禹

ACS Nano 2026

具体参数

线性二色比 (GeX)

~20

线性二色比 (SnX)

~100

线性偏振度 (GeX)

~90 %

线性偏振度 (SnX)

~98 %

光学带边分裂

~300 meV

技术优势

偏振选择性极高

SnX的最大线性二色比约100，相当于偏振度约98%，意味着几乎完全线偏振的光学响应。

块体厚度仍能工作

偏振锁定光学带边在微米级厚度下依然保持，突破了此前仅适用于纳米尺度的限制。

带边分裂可调

两个偏振选择的光学通道产生高达约300 meV的光学带边分裂，可用于设计偏振敏感器件。

应用场景

• 偏振光电器件：作为天然偏振层，用于偏振分辨光探测与成像。
• 各向异性光学材料：提供强面内光学各向异性，简化器件设计。
• 范德华半导体：在块体厚度保持偏振特性，兼容范德华集成。