双(二芳基卡宾)薄膜

耐200°C、存储超5月

采用金-碳键锚定的亚5纳米隧穿层，替代易降解的硫醇分子，在空气环境中实现长期稳定的分子电子器件。

Xu, Wenkui · Guo, Qianqian · Shi-Qun, Zhu · Zhang, Lan · 王涛 · Moloney, Mark G. · 都薇

Advanced Materials 2023

参数信息

隧穿层厚度

<5 nm

热稳定性

200 °C

存储寿命

>5 months

技术优势

耐热200°C

双(二芳基卡宾)基分子隧道结在加热至200°C后仍保持稳定，远超硫醇基器件的耐热能力。

空气存储超5月

在周围环境下存储超过5个月后性能无明显衰减，解决了硫醇分子结几天内降解的问题。

发射稳定性大增

光学表征显示发射稳定性大幅提升，有利于在分子光电器件和等离激元器件中长期使用。

应用场景

• 分子隧道结：替代硫醇分子结，实现长期稳定的电子隧穿。
• 分子电子器件：提供耐热、空气稳定的分子隧穿层，延长器件寿命。
• 等离激元器件：作为稳定间隔层，保持等离激元耦合结构长期有效。
• 光电器件：改善发射稳定性，提升光电器件的工作可靠性。