量子效率145%
在宽禁带半导体光阳极上首次实现超过145%的内量子效率，通过表面碳修饰和分级量子结构诱导多重激子产生。
Fang, Ke · 陈志伟 · Lin-An, Yang · Jin-Ping, Ao · 补钰煜
Small 2025
内量子效率达到145%，远超100%的理论极限，证实多个激子可同时产生并参与反应。
碳引入受主能级将多重激子产生阈值降至约能级差的两倍，降低了对入射光子能量的要求。
在宽禁带CdS上实现多重激子产生，打破传统认为只有窄带隙半导体才能高效产生多激子的限制，扩大了材料选择范围。