PtSe₂单晶薄片

c轴电导高57倍

通过精确调控生长温度，实现六方（c轴取向）和四方（a轴取向）两种晶体取向的2H─PtSe₂单晶薄片，其取向依赖的电学和磁学性质为二维材料应用开辟了新途径。

Shiyan, Zeng · Minmin, Zhao · Li, Fang · Yang, Zhihao · Wu, Haijuan · Tan, Chao · Qiang, Sun · 杨磊 · 雷力 · Zegao, Wang

Advanced Functional Materials 2023

参数信息

电导率比值

57

A1g模压力系数

2.744 cm⁻¹ GPa⁻¹

A1g模压力系数

3.282 cm⁻¹ GPa⁻¹

技术优势

取向可控

只需精确调节生长温度，即可获得c轴或a轴取向的单晶薄片，为按需制备不同电学和磁学性能的材料提供了简便途径。

导电性差57倍

c轴取向的电导率比a轴取向高57倍，为需要高导电通道的电子器件提供了更好的选择。

铁磁可调

c轴和a轴取向均表现出铁磁性，且c轴取向具有更高的磁阻比和矫顽场，为自旋电子学应用提供了取向选择的依据。

应用场景

• 中红外光电探测：利用PtSe₂窄带隙实现中红外光探测。
• 二维磁性器件：利用取向依赖的铁磁性构建二维自旋器件。
• 宽带光电探测：覆盖可见到红外波段的宽带光响应。
• 低维电子器件：提供高导电的原子级薄沟道材料。