PCN/MoS₂共负载倒金字塔硅光阴极

析氢量提升约10倍

利用废弃单晶硅片构筑倒金字塔结构作为基底，同时负载PCN与MoS₂形成异质结，协同增强光吸收与电荷转移，实现高效产氢。

Yiwen, Wang · Hongwei, He · Tao, Zhou · Jiangfan, Liao · 徐明丽 · 吕国强

International Journal of Hydrogen Energy 2025

具体参数

析氢过电位
{'zh': '611', 'en': '611'} mV
塔菲尔斜率
{'zh': '69', 'en': '69'} mV/dec
12小时总产氢量
{'zh': '9461.93', 'en': '9461.93'} μmol/cm²

技术优势

过电位暴降309 mV

LSV测试显示，PCN/MoS₂/SiIP的过电位从裸SiIP的920 mV降至611 mV，能量损失大幅减小。

产氢量提升10倍

在12小时测试中，PCN/MoS₂/SiIP的总产氢量达9461.93 μmol/cm²，约为裸SiIP的10倍，接近实用。

Tafel斜率低至69 mV/dec

较低的Tafel斜率表明析氢动力学更快，电荷转移更高效。

应用场景