FeNiCoCrCu高熵合金

预存位错环下缺陷更少

相比纯镍，这种高熵合金在含预存空位型位错环时辐照诱导缺陷更少，位错环演化更弱，表现出更强的辐照抗性。

宋卫东 · Zhonghao, Huo · 肖李军 · Wang, Lifang · Jun, Chen · 向美珍

Journal of Nuclear Materials 2025

技术优势

缺陷更少

与纯Ni相比，辐照后诱导的点缺陷和缺陷团簇更少。

位错环演化受抑制

辐照后位错环长度增加量小于纯Ni，表明位错环演化减弱。

缓解元素偏析

位错环的存在减轻了辐照引起的元素偏析。

应用场景

• 核结构材料：用于核反应堆结构件，减少辐照损伤。
• 高熵合金：作为抗辐照高熵合金的设计基础。
• 辐照环境材料：用于高辐照剂量环境中的结构部件。