GaN HEMT热阻测量法

误差低于2%

一种高精度测量GaN HEMT器件热阻的方法，通过谐波脉宽亚阈值技术有效滤除壳温波动和脉冲延迟的影响。

Ningyu, Luo · 文辉清 · Liu, Wen · Jiang, Lin

IEEE Transactions on Electron Devices 2024

参数信息

热阻测量差异

<2 %

技术优势

滤除壳温波动

通过频域扫描加热信号调制，有效滤除壳温波动带来的负面影响。

减少脉冲延迟

同时滤除测量脉冲信号延迟的影响，最小化可能的误差。

与经典方法差异<2%

实验对比表明，与两种经典方法在各种漏极电流条件下差异均小于2%。

应用场景

• GaN功率器件：提高GaN功率器件热阻测量精度，确保高工作可靠性。
• 热阻测量仪器：为热阻测量仪器提供高精度测量方法，无需额外硬件改造。
• 射频GaN器件：适用于射频GaN器件的结温和热阻测量，保障其在射频应用中的可靠性。