D型GaN MIS-HEMT

栅极抗6A脉冲

栅极正反向ESD应力表现出不对称鲁棒性，源于正反向栅电容差异。

Liu, Chao · Shi, Yijun · He, Zhiyuan · Xin, Yajie · 陈万军 · 孙瑞泽 · 张波

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

HBM D-to-G耐压
2600 V
HBM S-to-G耐压
1000 V
S-to-D和D-to-S TLP耐压
1000 V
S-to-D和D-to-S HBM耐压
8000 V

技术优势

D-to-G方向耐压更高

由于栅极到漏极的距离较长，器件在D-to-G方向的HBM耐压为2600 V，高于S-to-G方向的1000 V。

S-to-D和D-to-S耐压极高

在源漏之间施加脉冲时，器件在TLP测试中1000 V和HBM测试中8000 V下均未失效，显示出很强的抗ESD能力。

应用场景