Cu插层Mo₂CTₓ MXene

弱化Mo─H键,产氢8.4倍

利用铜向Mo₂CTₓ的定向电子转移,填充Mo─H反键轨道,弱化Mo─H键,使光催化产氢性能提升至8.4倍,为MXene助催化剂活性位点优化提供新策略。

王苹 · 王雪飞 · 陈丰 · 余火根

Small 2024

具体参数

光催化产氢速率
6446 µmol h⁻¹ g⁻¹

技术优势

产氢效率大幅提升

与TiO₂复合后产氢速率达6446 µmol h⁻¹ g⁻¹,是传统刻蚀Mo₂CF₂/TiO₂的8.4倍。

加速氢气脱附

定向电子转移增加Mo─Hads反键轨道占用,削弱Mo─H键,使氢更容易从活性位点释放。

制备工艺简单

采用一步熔盐法由Mo₂Ga₂C和CuCl₂合成,无需传统刻蚀所用的强酸。

应用场景