β-Ga₂O₃肖特基二极管

辐照下特性劣化

该二极管在1 MeV电子辐照后电学特性发生劣化，表现为正向导通电压降低、反向漏电流减小、势垒高度下降，揭示了辐照对器件性能的影响。

Zhengliang, Zhang · 王天琦 · 肖立伊 · 刘超铭 · Zhou, Jiaming · 张延清 · Chunhua, Qi · 马国亮 · 霍明学

IEEE Transactions on Electron Devices 2023

参数信息

肖特基势垒高度（辐照后）
0.92 eV
理想因子（辐照后）
1.13

技术优势

适用恶劣辐射环境

研究结果揭示了高能电子辐照对β-Ga₂O₃肖特基二极管的影响，为其在强辐射场合的应用提供了基础数据。

应用场景