核壳结构抛光磨粒

表面质量与去除率兼顾

通过有机壳层调控界面作用,在维持可接受材料去除率的同时显著降低硅片表面缺陷,为超精密抛光提供新方案。

Chen, Gaopan · 潘国顺 · 郭丹

Journal of Colloid and Interface Science 2026

参数信息

壳层厚度
1.38 nm

技术优势

缺陷大幅降低

有机壳层作为柔性缓冲,重新分布接触应力,抑制局部变形与缺陷产生,促进从缺陷主导去除向均匀可控过程的转变。

粘附力可控

薄有机壳层将界面原子置于有利的范德华作用距离内,显著增强颗粒与基底粘附,而进一步增厚则因界面分离增大和静电屏蔽降低粘附。

壳厚最优耦合

约1.38 nm的壳厚正处于粘附增强与机械柔顺性最优耦合区间,实验观察与模拟结果一致,为设计高性能磨粒提供了直接依据。

应用场景