载波泄漏抑制近60 dB
通过在校准电路消除跨导级失配引起的直流偏置，本混频器将载波泄漏抑制比提升至接近60 dB，而传统结构难以达到这一水平。
Chao, He · Caihong, Li · 马文英
2023
校准电路消除跨导级失配引起的直流偏置，将载波泄漏抑制比提升至接近60 dB，满足直接上变频发射机的严苛要求。
基于65 nm CMOS工艺，可与数字基带和射频前端单片集成，降低系统成本和面积。
在1.8 V电源下仅消耗12.9 mA电流（约23.2 mW），适合便携式无线设备。
在0 dBm本振驱动下，IIP3达到8.0 dBm，可承受较大的输入信号而不产生严重失真。