电阻存储器神经场芯片

能效提升23.5倍

用电阻存储器存内计算硬件高效重建神经场，在稀疏信号重建任务上实现能效与并行度的大幅提升，无需牺牲重建质量。

Yu, Yifei · Xinyuan, Zhang · Wang, Shaocong · Xiuzhe, Wu · Yangu, He · Zhang, Yue · Lin, Ning · 王博 · 晨曦 · Songqi, Wang · 吴小山 · Li, Yi · Hegan, Chen · Chen, Jingyi · 张续猛 · Qi, Xiaojuan · 尚大山 · 刘琦 · 王中锐 · Cheng, Kwangting · 刘明

Nature 2026

参数信息

预计能效提升（三维CT稀疏重建）
23.5 ×
预计能效提升（新视角合成）
21.0 ×
预计能效提升（动态场景新视角合成）
32.3 ×
预计并行度提升（三维CT稀疏重建）
10.8 ×
预计并行度提升（新视角合成）
38.8 ×
预计并行度提升（动态场景新视角合成）
6.2 ×
电阻存储器宏单元容量
256 Kb

技术优势

能效提升数量级

通过低秩分解和结构化剪枝压缩神经场，并在电阻存储器存内计算硬件上映射，避免数据搬运开销。

并行度大幅提升

电阻存储器阵列提供大规模并行乘累加能力，在多个任务上实现6.2×至38.8×的并行度增益。

精度不受影响

通过硬件感知量化电路实现精确权重映射，在提升能效与并行度的同时保持重建质量。

高斯编码高效

利用电阻存储器的本征随机性实现高斯编码，无需额外复杂电路。

应用场景