非晶氧化镓X射线光电突触

X射线敏感度超群

由非晶氧化镓薄膜构筑，利用界面氧空位缺陷增强电子隧穿，在X射线激发下产生显著突触后电流，可直接集成到商用TFT阵列上实现图像对比度增强。

梁会力 · Shao, Hang · Zhu, Rui · Zhan, Xiaozhi · 朱涛 · 王绩伟 · 张继华 · 张广宇 · 梅增霞

Advanced Science 2024

具体参数

灵敏度

{'zh': '20.5', 'en': ''} µC mGy-1

灵敏度

{'zh': '64.3', 'en': ''} µC mGy-1

灵敏度

{'zh': '164.1', 'en': ''} µC mGy-1

技术优势

构建64 × 64成像传感器并集成于商用非晶硅TFT阵列