金离子注入STO忆阻器

高稳定多级存储

通过金离子注入调控SrTiO3薄膜缺陷分布，实现阻变开关稳定性及多级存储性能的提升，可用于人工突触。

Hailian, Li · 宿杰 · Minghui, Xu · Shijie, Dong · Jing, Bian · Peng-Shun, Shan · Ruo-Wei, Wang · 刘勇 · 王雪林 · 范双青 · 曹明惠 · Tong, Liu · Xu, Ting · 孔伟金 · 刘涛

Applied Physics Letters 2024

技术优势

器件在I-V循环中表现出更稳定的电阻开关

多级存储性能提升