InSe/BP范德瓦尔斯异质结
室温负微分跨导比 43.5
同时实现宽带光电探测、多值逻辑和人工神经元功能，为低功耗高速度计算提供新器件
Muhammad, Zubair · Yu, Xu · Yangyang, Wang · Xiaoyong, Jiang · 苗金水 · Hao, Shenglan · 田博博 · 褚君浩 · 段纯刚
InfoMat 2025
参数信息
- 峰谷电流比
- 43.5
- 响应度（532 nm）
- 561.68 A W⁻¹
- 比探测率（532 nm）
- 3.95 10¹² cmHz¹/² W⁻¹
- 外量子效率
- 1341.87 %
- 响应速度（532 nm）
- 27 μs
- 响应度（1550 nm）
- 2.21 A W⁻¹
- 比探测率（1550 nm）
- 1.23 10¹⁰ cmHz¹/² W⁻¹
- 上升时间（1550 nm）
- 477 μs
技术优势
室温就能工作
NDT行为在室温下实现，无需低温冷却，简化了系统集成。
电压够低了
峰谷电流比在Vds仅1.4 V时达到43.5，适合低功耗应用。
看得见红外
器件在近红外1550 nm仍保持响应度2.21 A W⁻¹和比探测率1.23×10¹⁰ cmHz¹/² W⁻¹，拓展了探测范围。
应用场景
- 多值逻辑器件：用NDT特性构建三元反相器，以更少元件实现多值逻辑。
- 宽带光电探测器：从可见到近红外宽谱响应，替代多个窄带探测器。
- 人工神经元突触：模拟神经信号传输，用于构建脉冲神经网络硬件。
- 低功耗计算：NDT和低电压操作降低逻辑电路功耗。
- 新型逻辑门：实现紧凑的三元逻辑门，超越传统二进制CMOS。