复合终端氧化镓肖特基二极管

耐压近三倍

高阻区缓解放电极边沿集聚，AlN势垒层同时抑制反向漏电，击穿电压显著提升。

Minmin, Qu · Yu, Jiangang · Ziwei, Li · Li, Wangwang · 雷程 · Li, Tengteng · Fengchao, Li · 梁庭 · 贾仁需

Rengong Jingti Xuebao/Journal of Synthetic Crystals 2025

具体参数

击穿电压从

{'zh': '725', 'en': ''} V

优值从

{'zh': '0.060', 'en': ''} GW/cm²

临界击穿场强提升

{'zh': '50.7', 'en': '3.650'} %

电子势垒层后反向击穿电压

{'zh': '2690', 'en': ''} V