SiC源漏叠层纳米片FET

漏电抑制兼具热可靠

用SiC层替代传统穿通阻挡层掺杂或底部氧化物隔离，在抑制漏电的同时避免了自热效应和应力的劣化。

庄奕琪

Micromachines 2024

技术优势

显著抑制衬底漏电流

与BOX-NSFET相比，避免了底部氧化物引起的应力降低

与BOX-NSFET相比，缓解了自热效应